GaN SSPA de 6–18 GHz de 20 W vs. 50 W: ¿Cuál es el adecuado para sistemas de radar y guerra electrónica?

La modernización de pods de interferencia de guerra electrónica (EW), simuladores de amenazas y transmisores de radar de banda ancha requiere seleccionar la potencia de salida de RF adecuada respetando límites estrictos de carga útil. La serie de amplificadores de potencia de estado sólido (SSPA) GaN de 6–18 GHz ofrece dos opciones de potencia probadas en campo: el modelo de 20 W (43 dBm, MCW6018M43A) y el de 50 W (47 dBm, MCW6018M47A).

Ambos módulos operan de forma continua en todo el espectro de 6000 MHz a 18000 MHz dentro de un gabinete compacto de 150 × 90 × 25 mm con un peso inferior a 1.2 kg. Evaluar el equilibrio entre la disipación térmica, el consumo de corriente DC y la potencia radiada efectiva (ERP) ayuda a los integradores a especificar el amplificador de potencia GaN de 6–18 GHz ideal para su plataforma.

Especificaciones Técnicas y Soporte

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1. Comparativa de 20 W vs. 50 W para la integración de sistemas

La elección entre los módulos de 20 W y 50 W depende del suministro de corriente DC disponible, la capacidad del disipador térmico y los objetivos del margen de enlace.

  • La opción de 20 W (MCW6018M43A): Con un consumo típico de 3.5 A a 28 VDC (entrada de potencia DC de 98 W), este módulo entrega 43 dBm de salida saturada con una ganancia de 43 dB. Es ideal para aplicaciones SWaP con restricciones de espacio y energía, cargas útiles no tripuladas y etapas de excitación multicanal.
  • La opción de 50 W (MCW6018M47A): Entregando 47 dBm de salida saturada con 47 dB de ganancia, esta unidad consume un valor típico de 8.5 A a 28 VDC (entrada de potencia DC de 238 W). Proporciona la máxima potencia RF para transmisores de radar de largo alcance e interferidores ECM activos.
  • Construcción microelectrónica: El ensamble por hilo directo (wire-bonding) de dados desnudos de GaN elimina las reactancias del encapsulado plástico, garantizando una respuesta de ganancia suave en toda la banda de 6–18 GHz.

2. Características operativas clave: Conmutación por pulsos rápida, telemetría y robustez

Ambos niveles de potencia comparten un diseño microelectrónico unificado para resistir entornos de operación exigentes:

  • Conmutación por pulsos de RF rápida: Un interruptor de RF rápido integrado (pin ENABLE) permite una conmutación rápida con un tiempo típico TON/OFF de 2 µs (máximo 5 µs). Esto permite una modulación por pulsos precisa sin sobrecalentamiento.
  • Telemetría en tiempo real: Un conector híbrido D-Sub de 7 pines proporciona lecturas analógicas de tensión para monitorear la corriente (Pin 2: 100 mV/A) y la temperatura de la placa base (Pin 3: 10 mV/°C).
  • Protección contra desajustes VSWR: La red de adaptación de salida tolera desajustes continuos de carga VSWR 3:1 en todos los ángulos de fase. Además, esta serie de amplificadores de potencia de estado sólido de banda ancha soporta fallas en circuito abierto o cortocircuito (VSWR ∞:1) por hasta 1 minuto a plena potencia.

3. Matriz de selección de módulos y aplicaciones

La siguiente tabla resume las diferencias clave para ayudarle a seleccionar el módulo amplificador de potencia de banda ancha adecuado para su proyecto:

Criterio de selecciónMódulo SSPA de 20 W (MCW6018M43A)Módulo SSPA de 50 W (MCW6018M47A)
Potencia saturada (Psat)20 W típico (43 dBm)50 W típico (47 dBm)
Ganancia de potencia típica43 dB típico47 dB típico
Consumo de potencia (DC)~98 W (28 VDC @ 3.5 A tip)~238 W (28 VDC @ 8.5 A tip)
Ventaja principalBaja carga térmica; optimizado SWaPMáxima salida RF y alcance ERP
Aplicaciones típicasEtapas driver, pods UAV, bancos de pruebaInterferidores ECM, radares tácticos
Requisito de refrigeraciónConducción estándar / disipadorDisipador de alto rendimiento / aire forzado

Soporte técnico y unidades de evaluación

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Preguntas Frecuentes

Q1: ¿Cómo elijo entre los módulos de 20 W y 50 W según los límites de refrigeración?

Elija el módulo de 20 W si su plataforma utiliza conducción pasiva o disipadores compactos, ya que genera ~78 W de calor residual. Seleccione el módulo de 50 W si requiere mayor salida RF y su plataforma puede disipar ~188 W de calor mediante un disipador de alto rendimiento o aire forzado para mantener la placa base por debajo de 85 °C.

Q2: ¿Se pueden combinar en potencia estos módulos de 6–18 GHz para obtener mayor salida?

Sí. Ambos módulos de 20 W y 50 W utilizan topologías de matriz microelectrónica y redes de adaptación idénticas (> 10 dB de pérdida de retorno). Su alineación de fase-frecuencia constante facilita la integración en combinadores paralelos para obtener una mayor potencia radiada efectiva (ERP).

Q3: ¿Qué fuente de alimentación y conexiones de cableado se requieren?

Ambos módulos requieren una línea de 28 VDC nominal (rango de 26 V a 32 V) conectada mediante los pines A1 (VDD) y A2 (GND) del conector D-Sub de 7 pines. La fuente debe suministrar al menos 5 A para el módulo de 20 W y al menos 10 A para el de 50 W.

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